型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635-49￥26.991950-199￥25.8384200-499￥25.1924500-999￥25.03101000-2499￥24.86952500-4999￥24.68495000-7499￥24.5696≥7500￥24.4542 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V196010-99￥10.1160100-499￥9.6102500-999￥9.27301000-1999￥9.25612000-4999￥9.18875000-7499￥9.10447500-9999￥9.0370≥10000￥9.0032 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V960410-99￥8.6880100-499￥8.2536500-999￥7.96401000-1999￥7.94952000-4999￥7.89165000-7499￥7.81927500-9999￥7.7613≥10000￥7.7323 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295-49￥25.599650-199￥24.5056200-499￥23.8930500-999￥23.73981000-2499￥23.58662500-4999￥23.41165000-7499￥23.3022≥7500￥23.1928 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V550010-99￥8.1840100-499￥7.7748500-999￥7.50201000-1999￥7.48842000-4999￥7.43385000-7499￥7.36567500-9999￥7.3110≥10000￥7.2838 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP17N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V52905-49￥26.523950-199￥25.3904200-499￥24.7556500-999￥24.59701000-2499￥24.43832500-4999￥24.25695000-7499￥24.1436≥7500￥24.0302 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPA65R190C7XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V53095-49￥12.004250-199￥11.4912200-499￥11.2039500-999￥11.13211000-2499￥11.06032500-4999￥10.97825000-7499￥10.9269≥7500￥10.8756 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA08N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V98025-49￥33.520550-199￥32.0880200-499￥31.2858500-999￥31.08531000-2499￥30.88472500-4999￥30.65555000-7499￥30.5123≥7500￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V11765-49￥15.853550-199￥15.1760200-499￥14.7966500-999￥14.70181000-2499￥14.60692500-4999￥14.49855000-7499￥14.4308≥7500￥14.3630 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6004ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新597810-99￥6.4800100-499￥6.1560500-999￥5.94001000-1999￥5.92922000-4999￥5.88605000-7499￥5.83207500-9999￥5.7888≥10000￥5.7672 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新794810-99￥8.5800100-499￥8.1510500-999￥7.86501000-1999￥7.85072000-4999￥7.79355000-7499￥7.72207500-9999￥7.6648≥10000￥7.6362 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF3N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V79805-24￥5.467525-49￥5.062550-99￥4.7790100-499￥4.6575500-2499￥4.57652500-4999￥4.47535000-9999￥4.4348≥10000￥4.3740 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V30455-49￥13.209350-199￥12.6448200-499￥12.3287500-999￥12.24971000-2499￥12.17062500-4999￥12.08035000-7499￥12.0239≥7500￥11.9674 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA06N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 800 V, 0.78 ohm, 10 V, 3 V66285-24￥6.493525-49￥6.012550-99￥5.6758100-499￥5.5315500-2499￥5.43532500-4999￥5.31515000-9999￥5.2670≥10000￥5.1948
